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# Semiconductor/- Semicon Academy103

[Harman 세미콘 아카데미] 71일차 - Full Custom IC(4NAND, 4NOR Schematic & LayOout / MUX Schematic & Layout) [4NAND] 보통 반도체 소자 Design Test에서는 한 소자 당 2시간을 주고 그려보라 한다. 한 번 만들어보자. 📌 Schematic NAND은 pMOS 병렬, nMOS 직렬이므로 위와 같이 Schematic 생성 Symbol도 만들어준다. 📌 Simulation 출력이 변화하는 부분만 짤라서 시뮬레이션 돌리면 됨. 4NAND_TEST file을 생성하여 위와 같이 그려준다. 입력값도 위 진리표처럼 VINA = 1 VINB = 1 VINC = 1 VIND = VIND (얘를 변수로 놓고 시뮬레이션할 것이다.) pMOS의 적절한 WIDTH는 약 2.14um이므로 2.14um 채택 📌 Layout 5.69um짜리 4NAND gate Layout DRC와 LVS도 완료 [4NOR] 📌 Schemati.. 2023. 10. 11.
[Harman 세미콘 아카데미] 70일차 - Full Custom IC(Stick Diagram / 2NAND, 2NOR, 3NAND, 3NOR Layout) [Stick Diagram] 📌 Stick Diagram : Layout을 간단하게 막대로 그린 상태도 📌 Design Sequence 1. CMOS Schematioc 2. Simulation 3. Layout(Stick Diagram 그려보고 Tool로 진행) 4. DRC 5. LVS 3~5번까지 수행 가능하면, 레이아웃 엔지니어 가능 📌 Path(경로) 조건 가능한 경로로 선정되기 위해서는 2가지 조건을 만족시켜야 한다. 1. nMOS Block & pMOS Block은 동시에 만족해야 한다. 2. 모든 트랜지스터를 한 번씩 경유해야 한다. 📌 "좋은" 반도체의 기준 좋은 반도체란, 1. Fast : 성능이 뛰어나 데이터 전송 속도가 빠른 반도체 2. Cheap : 가격이 저렴한 반도체 3. Low.. 2023. 10. 10.
[Harman 세미콘 아카데미] 69일차 - Verilog(4x4 keypad, 4bit CPU 개요, ALU, ACC) [4x4 Keypad] 📌 4x4 keyboard 구상 4x4 keypad를 만들어 보자. 키패드도 일종의 버튼들의 모음이므로, 풀다운 또는 풀업을 적용시켜줘야 한다. 우리는 버튼을 누른 순간 동작시키는 풀업을 시용하도록 하자. row이든 col이든 둘 중 아무거나 하나는 input잡고 다른 하나는 output으로 잡으면 된다. 단, input에 풀업 저항을 셋팅해줄 것. 키패드의 어떤 버튼이 입력되었는지 스캔하는 기능은 FND에서 잔상효과 사용하듯이 설계할 것이다. 16개의 키 스캔하는데, 약 4ms가 걸리고, 사람이 버튼을 동작시키는데 최소한 4ms 이상은 걸리니까 다음 버튼의 입력까지의 시간은 충분하다. 포트를 절약하기 위해서 array를 만들어서 사용한다. 📌 Code module key_pad_.. 2023. 10. 7.
[Harman 세미콘 아카데미] 68일차 - Full Custom IC(2NOR, 3NAND, 3NOR 생성 / NOT gate Layout, DRC, LVS) [2NOR] 📌 Schematic 📌 Symbol & Simulation 0.5V 지점에서 변환이 되어야 하므로, 500m VINB는 0.01 step size로 0~1V Sweep 단축키 M 을 활용하여 마크찍어놓고 보면 편하다. 적절한 W값은 3.99 μ [3NAND] 📌 Schematic NAND gate는 pMOS 병렬, nMOS 직렬로 구성된다. 📌 Symbol 📌 Simulation A B C NAND 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 위와 같이, 출력값이 변환되는 지점이면서 입력 값을 최소한으로 가변하는 구간을 찾아서 시뮬레이션하면 된다. 적절한 W 값은 2.31 μm [3NOR] 📌 Schematic 📌 Sym.. 2023. 10. 5.