‘2나노 반도체 핵심’ ASML, 하이 NA 장비 파일럿 가동

ASML이 차세대 극자외선(EUV) 노광장비 '하이 NA EUV' 파일럿 라인을 본격 가동 시작

<하이 NA EUV 노광장비>

: 2나노 이하 초미세공정에 필요한 핵심 장비로 분류

빛 집광능력을 나타내는 렌즈 개구수(NA)를 기존 0.33에서 0.55로 끌어올려 초미세회로를 그릴 수 있는 EUV 장비

ASML은 유럽 최대 종합반도체연구소인 아이멕(IMEC)과 업무협약을 체결,

벨기에 루벤에 파일럿 라인을 구축하고

하이 NA EUV 장비 본격 양산 전 수율과 비용 효율화 등 전반에 대한 검증에 돌입한다.

패터닝과 에칭 공정 개발, 새로운 재료 스크리닝, 계측 개선과 포토마스크 기술 등이 대상이다.

하이 NA EUV 장비가 초미세회로 구현뿐 아니라 전력 효율성과 수율을 상당 부분 개선할 수 있을 것으로 기대됨

최근 나노 공정 단위가 줄면서,

현재 EUV 장비로 반도체 회로를 그리는 작업인 노광 패터닝 횟수가 점차 증가하는 추세

하이 NA EUV 장비는 패터닝을 한 차례(싱글)로 줄여 에너지 효율을 안정화시킬 수 있고,

회로 패턴 해상도를 높여 반도체 제조 수율을 높이고 결함을 최소화할 수 있는 것

 

 SK하이닉스, 인텔, 마이크론 등도 이 장비를 원하는 수요 기업이다.

하이 NA EUV 장비가 차세대 인공지능(AI) 시스템이나 고성능 컴퓨팅(HPC)에 최적화된, 에너지 효율을 높일 수 있는 칩을 개발·생산할 수 있는 기본 인프라로 꼽히는 만큼 ASML은 장비 개발에 속도를 낼 것으로 보인다.

 

https://www.etnews.com/20230630000206

‘2나노 반도체 핵심’ ASML, 하이 NA 장비 파일럿 가동